Brechungsindex von
Silizium ist das zweith?ufigste Element auf der Erde. Es stellt die Basis für nahezu alle nicht-optischen Halbleiterprodukte dar. In der Optik ist Silikon prim?r als Detektor oder Reflektor interessant, und sowohl der Brechungsindex als auch der Absorptionskoeffizient sind von besonderer Wichtigkeit. Die unten angegebenen Werte gelten unabh?ngig davon, ob die Probenoberfl?che parallel zur 111 oder 100 Kristallebene verl?uft. Auch der Grad der Dotierung hat nur einen sehr kleinen Einfluss auf den Brechungsindex im hier betrachteten Wellenl?ngenbereich (200 bis 2500nm). Silizium bildet eine nahezu perfekte Schicht von SiO2 wenn es einer oxidierenden Umgebung ausgesetzt wird. Diese "natürliche" Oxidschicht muss h?ufig berücksichtigt werden, wenn der Brechungsindex oder die Schichtdicke von sehr dünnen Schichten auf Silizium gemessen werden soll.
Für eine typische Probe von Si betragen der und der bei 3.88163 und 0.01896923. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollst?ndigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, k?nnen Sie unsere propriet?re Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.
Referenz für BrechungsindexHandbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik. Academic Press, Boston, 1985
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