Brechungsindex von
Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.
Für eine typische Probe von InAs betragen der und der bei 3.96317 und 0.6065408. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollst?ndigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, k?nnen Sie unsere propriet?re Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.
Referenz für BrechungsindexD. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)
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