屈折率GaAs, Gallium Arsenide
ガリウムヒ素(GaAs) はガリウムとヒ素元素の混合物で、III-V族半導体で、電子レンジの周波数集積回路、モノリシック電子レンジ集積回路、赤外線発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池や光学窓などの機器の製造に用いられます。
典型的なサンプルについて骋补础蝉波长におけるとは以下の通りです。3.85744および0.1983491。以下は、屈折率および吸光係数のファイルです。ダウンロードできないファイルがある场合は、「リクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご请求いただけます。
Refractive Index Reference - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)
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