屈折率AlN, Aluminium Nitride, 窒化アルミニウム
窒化アルミニウム (AlN) はアルミニウムの窒化物で、そのウルツ鉱局面 (w-AlN) は幅広いバンドギャップ(6.2 eV)の半導体材料で、深紫外線オプトエレクトロニクスのためのアプリケーション用途の可能性があります。
典型的なサンプルについて波長におけるとは以下の通りです。2.16468および0〱下は、屈折率および吸光数のファイルですɡウンロードできないファイルがɡ場合はāČリクエスト」をクリックして、システム専用のデータファイルをご請ɡただけますĂ
Refractive Index Reference - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 150
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